记者日前从厦门大学获悉，该校物理与机电工程学院康俊勇教授课题组自主研发的新型宽带隙半导体材料为深紫外光子学的发展提供了新的思路和方向。它的“秘诀”在于材料纯度和结构质量高，通过其中激子和光子的相互转化特性可以轻松实现深紫外光的发射，从而大大提升激光器件的发光能效。相关研究成果刊登在《自然》出版集团旗下涵盖自然科学所有领域的在线开放刊物《科学报道》上。

　　所谓深紫外光，是指波长短于280纳米的紫外线。这种光源波长短、频率高，可在水及空气净化、疾病治疗、信息技术等领域发挥独特作用。传统的深紫外光通常由高压汞灯产生，体积大、电压高、毒性大，而用氮化铝基宽带隙半导体来产生深紫外光，一般体积不足米粒大、只要数伏特、无毒无害，且寿命长数百倍。从2005年开始，康俊勇课题组便开始研发这种高纯度的宽带隙半导体深紫外光源材料和器件，并不断突破结构瓶颈。

　　2012年底，课题组博士生李孔翌在氮化铝半导体中探测到了名为“激子极化激元”的粒子。这种粒子是激化的电子与光子结合的产物，天生容易聚在一起。借助它，可以轻松实现光的同步发射，也就是说，在很低的电流驱动下，就可发射出激光。